Ikw75n65es5 Infineon IGBT 75A 650V Componente electrónico

Información básica

N º de Modelo.	IKW75N65ES5
Certificación	RoHS
Estructura de encapsulación	Transistor de microprocesador
Instalación	Triodo enchufable
Función	Triodo de poder
Material	Plástico y Cobre
Descripción detallada	Transistor Bipolar de Puerta Aislada
Número de producto	Ikw75n65es5
Nivel de voltaje máximo	650,0 V
Categoría	Igbts - Single
Voltaje - Desglose del emisor del colector	650V
Descripción de Samacsys	Transistores IGBT Trenchstop
Tipo de montaje	A través del orificio
Paquete de transporte	Tubo
Especificación	Plástico y cobre
Marca comercial	CHN
Origen	Porcelana

Descripción del Producto

Atributos del producto

• Voltaje de saturación de colector-emisor muy bajo VCEsat • La mejor compensación de su clase entre pérdidas de conducción y conmutación • Voltaje de ruptura de 650 V • Carga de compuerta baja QG • Temperatura máxima de unión 175 °C • Calificado según JEDEC para aplicaciones objetivo • Recubrimiento de plomo libre de Pb

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