75A/1200V E75 Módulo IGBT Reemplace Infineon Fp75r12kt4

Información básica

N º de Modelo.	WGL75P120E75
Modelo	Wgl75p120e75
Número de lote	2021+
Marca	Cetc
Material clave	Sic
Paquete de transporte	Caja de cartón
Especificación	L122.5*W62.5mm
Origen	cn
Código hs	8504409190

Descripción del Producto

Foto del producto: Parámetro del producto:

Parámetro	símbolo	condiciones	valor	unidad
Tensión colector-emisor	VCES	VGE=0V, yoC=1mA, Tvideojockey=25ºC	1200	V
Corriente continua del colector	IC	Tc=80ºC, Tvjmáx=175ºC	75	A
Corriente máxima del colector	ICRM	tp=1ms	150	A
Voltaje de puerta-emisor	VGES	Tvj=25°C	±20	V
Disipación de potencia total (IGBT-inversor)	PAGhasta	TC=25ºC Tvjmax=175ºC	476	W

 

Características

• Caso de baja inductancia
• Pérdidas de conmutación bajas
• Sensor de temperatura NTC integrado
• Placa base aislada
• Incluye FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
• Alta capacidad de cortocircuito (10us)
• Estructura del módulo de baja inductancia
• Temperatura máxima de unión 175ºC

Beneficios

• Mayor corriente de salida del inversor para el mismo tamaño de estructura
• Reducción de los costes del sistema gracias a la simplificación de los sistemas inversores
• Montaje fácil y más fiable
• Alta fiabilidad de interconexión
• adecuado para procesos de prensado y soldadura

Aplicaciones

• Vehículos comerciales, de construcción y agrícolas (CAV)
• Control de motores y accionamientos
• Soluciones para sistemas de energía solar
• Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)
• Máquina de soldadura de conmutación suave
• Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC

El módulo IGBT E75 es uno de los paquetes IGBT más populares en todo el mundo y se utiliza en muchas aplicaciones diferentes, como unidades de propósito general; vehículos comerciales, de construcción y agrícolas, así como eBus; Solar; Viento; Tracción; UPS y finalmente, Transmisión y Distribución. En la última generación de módulos, ahora es factible aumentar la corriente del módulo a 150 A. Esto es posible gracias a la nueva tecnología que permite una mayor densidad de potencia y costos reducidos de BoM. Diagrama de circuito

Dibujo del paquete

Productos de la serie E75:

Modelo	Vces(V)	IC(T=80)(A)	VCE(sat) Tj=125ºC	Eon+Eof(Tj=125)(mj)	Rthjc(KW)
WGL50F120E75	1200	50	1.85	11.88	0.41
WGL75F120E75	1200	75	1.85	15.96	0.33
WGL100F120E75	1200	100	1.85	17.48	0.20
WGL150F120E75	1200	150	1.85	34.2	0.17

 

PREGUNTAS MÁS FRECUENTES:1.¿Por qué se especifica el IGBT para una sobrecarga de 175 ºC?
El CETC IGBT está desarrollado para operar a una temperatura continua de 175°C. La limitación de sobrecarga viene dada por el paquete. La mayoría de las aplicaciones están diseñadas con un perfil de sobrecarga y aquí el IGBT encaja perfectamente. El CETC IGBT proporciona las pérdidas estáticas más bajas.

 

2.¿Cómo manejar la alta carga de puerta especificada para la hoja de datos de IGBT?

El cargo de puerta especificado en la hoja de datos es para una operación con VGE de ± 20 V. La mayoría de los clientes usan VGE en el rango de +5,4 V a +7 V. Aquí, el cargo de puerta es mucho más bajo y con este valor, las frecuencias de conmutación típicas pueden abordarse con unidades estándar.

3.Soporte técnico

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