NXP y TSMC llevan la MRAM integrada a los MCU automotrices...

Jan 09, 2024

Según NXP, MRAM puede actualizar 20 MB de código en aproximadamente 3 segundos, mucho más rápido que la tecnología estándar actual, las memorias Flash, que tardan aproximadamente 1 minuto para la misma cantidad de datos. Esto minimiza el tiempo de inactividad asociado con las actualizaciones de software y permite a los fabricantes de automóviles eliminar los cuellos de botella que surgen de los largos tiempos de programación de los módulos, explica Ed Sarrat, director sénior de gestión de productos, MCU automotrices para NXP. Además, MRAM proporciona una tecnología altamente confiable para perfiles de misión automotriz al ofrecer hasta un millón de ciclos de actualización, 10 veces más que flash y otras tecnologías de memoria emergentes como RRAM. Este conjunto de características hace que MRAM sea ideal, si no un requisito para la próxima era de los vehículos definidos por software (SDV).

Comparación de las propiedades de MRAM, Flash y RRAM. © NXP

Además de una mayor velocidad de escritura en comparación con flash, todo el proceso de acceso al contenido de la memoria se simplifica enormemente con MRAM, explica Sarrat. A diferencia de Flash, con MRAM no es necesario un paso de borrado antes de escribir en una celda de memoria. La escritura se puede hacer en un solo paso en lugar de cinco pasos consecutivos con Flash. Además, con 1 millón de ciclos de escritura/borrado, la MRAM se puede usar de manera muy similar a la EEPROM actual, pero a diferencia de esta última, se puede integrar en el chip y, por lo tanto, elimina la necesidad de una EEPROM fuera del chip. De manera similar, se puede omitir la memoria Flash de registro de datos externa. Además, reduce el esfuerzo de los circuitos de "mantenimiento vivo" como medida de protección contra caídas de tensión en el automóvil. Además, el circuito MRAM puede funcionar con el voltaje de chip estándar de 1,8 V, mientras que Flash necesita un circuito integrado para generar los 9 V necesarios para el proceso de escritura.

MRAM también reduce la complejidad del software. Debido a que con Flash, la ubicación de la memoria debe borrarse antes de cada escritura, no se requieren rutinas de programación de borrado, lo que simplifica el controlador y el software del cargador de arranque. En ciertos casos, como el acceso a tablas de búsqueda, datos de calibración y conjuntos de datos similares que se actualizan con poca frecuencia, MRAM puede reemplazar a SRAM, liberando la valiosa capacidad de SRAM para funciones alternativas, explicó Sarrat.

A través de la colaboración con TSMC, NXP puede implementar MRAM en 16nm. “No estamos anunciando un producto específico”, aclara Sarrat de NXP. "En cambio, este anuncio es sobre nuestra colaboración con TSMC". Sin embargo, la colaboración apunta a implementar productos reales tarde o temprano. Se pueden esperar los primeros productos en la primera mitad de 2025.

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